买卖IC网 >> 产品目录43261 >> BSZ16DN25NS3 G MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON datasheet 分离式半导体产品
型号:

BSZ16DN25NS3 G

库存数量:8,796
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSZ16DN25NS3 G PDF下载
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 165 毫欧 @ 5.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 32µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 11.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 920pF @ 100V
功率 - 最大 62.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商设备封装 -
包装 标准包装
其它名称 BSZ16DN25NS3GDKR
相关资料
供应商
公司名
电话
北京京北通宇电子元件有限公司 17862669251 洪宝宇
天阳诚业科贸有限公司 17862669251 洪宝宇
深圳市华芯盛世科技有限公司 0755-83225692 唐先生
深圳市德力诚信科技有限公司 13969210552 王小姐
北京首天伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
北京力通科信电子有限公司 13661385246 韩小姐
深圳市柏新电子科技有限公司 0755-88377780 林小姐//方先生
深圳市亿联芯电子科技有限公司 18138401919 吴经理
深圳市铭昌源科技有限公司 0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步 优质现货代理商
深圳市芯驰科技有限公司 18665384978 丁皓鹏
  • BSZ16DN25NS3 G 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 2.916 2.916
    10 2.4972 24.972
    25 2.24688 56.172
    100 2.03892 203.892
    250 1.830864 457.716
    500 1.581192 790.596
    1,000 1.33152 1331.52
    2,500 1.206696 3016.728
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    2000915
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    TRANSMITTER 12X2.7GBD PLUGGABLE